金属硒硅芯片/DRAM/DDR/64位/4英寸/1:1/3纳米/中密度/60%金属硅
基础电子材料/芯片/DRAM/DDR/64位/4英寸/1:1/3纳米/创新生产工艺
特点：1. 低电压输入/输入电压： ≤100VDC， 高电压输出/输出电压：≤100VDC， 2. 输入电路/输出电流可控， 输入电流： ≤90mA, 输出电流： ≤可控, 3. 容量可控， 容量/mm3：6V/200AH
工艺重点：1. 原材料加入方法， 2. 高低温沉淀， 3. 完全解决光刻机卡脖子设备
工艺/产品优势：第一， 成本低， 第二， 产能高， 第三： 高温状态下保持良好的工作状态
100： 工作温度：≤100摄氏度
300： 工作温度：≤300摄氏度
500： 工作温度：≤500摄氏度
产品种类齐全
普通芯片，节能型芯片， 超导芯片
DRAM：SDRAM, DDR, SGRAM
FLASH：SDRAM, DDR, SGRAM
HDD：SDRAM, DDR, SGRAM
SSD：SDRAM, DDR, SGRAM
乙基芯片， 一乙基芯片， 二乙基芯片
甲基芯片， 一甲基芯片， 二甲基芯片
丁基芯片， 一丁基芯片， 二丁基芯片
4位 – 2048位
0.5英寸 - 100英寸
晶体结构：0.1纳米 – 100纳米
透光型， 透光度（600波长）， 低透光， 透光率：75%， 中透光， 透光率：80%； 高透光， 透光率：90%；超高透光， 透光率：95%；
晶体， 单晶体， 多晶体
形状记忆/可以弯曲，不折断， 超低记忆， 记忆程度：1；低记忆， 记忆程度：3；中记忆， 记忆程度：5； 高记忆， 记忆程度：7；超高记忆， 记忆程度：9；
密度， 密度： 1 – 9
额定直流电压(VRDC)： 6VDC-3000VDC
额定交流电压(VRAC)： 6VAC - 750 VAC
直流浪涌电压(VPKDC)：6VPKDC 3500VPKDC
工艺简单， 易于工厂大生产
模块化和标准化生产， 调整工艺参数和原材料， 可以生产不同类型的芯片
成本低， ≤ 25元/公斤
设备简单和投入少， 适应中小企业进入
可以协助完成中试， 批量生产和检测等相关工作
一．原材料
金属硅， 含量： 99%
金属硒， 含量： 99%
二．设备
炼铁炉：可以转动，可以使炉内的温度比较平均，调控温度范围： 0000 0C
小型炼铁炉： 内径：000cm
成形盘，材质：特殊钢材，硬度：0， 抗拉性：0，耐温性：0000 0C， 根据产品不同用途，制定具体尺寸
高低温冷却炉: 尺寸：000cm X 000cm X 000cm， 调控温度范围：0000 0C，炉内之间，根据实际情况来制定
三．基本生产步骤
1. 金属硒溶解阶段， 具体步骤如下
炼铁油脂： 炼铁炉的0/00; 之后，炼铁炉开始加温，将金属硒通过炼铁炉的上料系统分批加入炼铁炉，具体数量和时间如下
第一次加料，时间：炉温到达000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：0000C， 时间：00分钟， 转速：0转/分钟
第二次加料，时间：炉温到达000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：0000C， 时间：00分钟， 转速：0转/分钟
第三次加料，时间：炉温到达000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：0000C， 时间：00分钟， 转速：0转/分钟
第四次加料，时间：炉温到达000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：0000C， 时间：00分钟， 转速：0转/分钟
第五次加料，时间：炉温到达000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：0000C， 时间：00分钟， 转速：0转/分钟
第六次加料，时间：炉温到达000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：0000C， 时间：00分钟， 转速：0转/分钟
第七次加料，时间：炉温到达000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：0000C， 时间：00分钟， 转速：0转/分钟
第八次加料，时间：炉温到达000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：0000C， 时间：00分钟， 转速：0转/分钟
之后， 进入金属硅溶解阶段
2. 金属硅溶解阶段， 具体步骤如下
将颗粒金属硅，通过炼铁炉的上料系统分批加入炼铁炉，具体数量和时间如下
第一次加料，时间：炉温到达0000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第二次加料，时间：炉温到达0000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：00000C， 时间：00分钟， 转速：0转/分钟
第三次加料，时间：炉温到达0000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第四次加料，时间：炉温到达0000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第五次加料，时间：炉温到达0000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第六次加料，时间：炉温到达0000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第七次加料，时间：炉温到达0000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第八次加料，时间：炉温到达0000 0C， 投入量：炼铁炉的0.0/00, 之后，进行溶解，温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
之后， 进入合炼阶段
3. 合炼阶段， 具体步骤如下
第一次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第二次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第三次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第四次合炼：温度：0000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第五次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第六次合炼：温度：0000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第七次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第八次合炼：温度：0000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第九次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第十次合炼：温度：0000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第十一次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第十二次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第十三次合炼：温度：0000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第十四次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第十五次合炼：温度：0000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第十六次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第十七次合炼：温度：0000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第十八次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第十九次合炼：温度：0000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第二十次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第二十一次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第二十二次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第二十三次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
第二十四次合炼：温度：00000C， 时间：00分钟，转速：0转/分钟
之后，进入高低温冷却阶段
4. 高低温冷却阶段， 具体步骤如下
使用现有的方法，将溶解液加入小型炼铁炉，加入量：000公斤， 之后，将温度设置为00000C，目的：将溶解液保持在液态，避免溶解液被氧化，之后，进入高低温冷却阶段
高低温冷却炉预处理：将炉温设置为0000 0C，预加热时间：00分钟，炉温达到00000C时，开始高低温冷却
溶解液（炉料）出料：使用现有的方法，将溶解液注入成形盘，需要注满，根据产品不同用途， 选用不同形状的成形盘，之后，使用现有的方法，将注满溶解液的成形盘移动到高低温冷却炉的支架上， 数量：0个/每炉，之后，开始高低温冷却，
第一次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟；低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第二次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟；低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第三次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟；低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第四次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟；低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第五次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟；低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第六次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟；低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第七次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟；低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第八次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟；低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第九次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟；低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第十次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟；低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第十一次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟；低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第十二次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟；低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第十三次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第十四次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第十五次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第十六次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第十七次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第十八次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第十九次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟
第二十次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：0000C，冷却时间：000分钟
第二十一次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：0000C，冷却时间：000分钟
第二十二次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：0000C，冷却时间：000分钟
第二十三次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：0000C，冷却时间：000分钟
第二十四次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：0000C，冷却时间：000分钟
第二十五次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：0000C，冷却时间：000分钟
第二十六次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：0000C，冷却时间：000分钟
第二十七次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：0000C，冷却时间：000分钟
第二十八次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：0000C，冷却时间：000分钟
第四十二次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：0000C，冷却时间：000分钟
第四十三次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：0000C，冷却时间：000分钟
第四十四次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：0000C，冷却时间：000分钟
第四十五次高低温冷却：高温冷却温度：00000C，冷却时间：000分钟， 低温冷却温度：0000C，冷却时间：000分钟
高低温冷却结束之后，将炉温调整为000C，进行常温冷却，冷却时间： 000 分钟
温度切换要点： 根据时间切换相关温度
金属硒硅芯片/DRAM/DDR/64位/4英寸/1:1/3纳米/中密度/60%金属硅， 纯度：99.99%， 密度：5， 容量/mm3：6V/200AH，环境温度：-500C - 700C，最大电压：100VDC, 最大功率： 50 mW，最高电阻： 5 KΩ， 暗电流：0.5 MΩ， 响应时间： 30 mS
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