全业qysemi陶瓷气体放电管UN3E6-75MM型号特性及应用
UN3E6-75MM正在特价促销,有意请联 :朱女士
特性
1、无辐射
2、符合RoHIS标准
3、低插入损耗
4、瞬态反应时间快
5、超低电容
6、在.8/20 us波形的测试环境下能承载10KA的浪涌,符合IEC 61000-4-5
参数
封装:φ6*8.5mm
电压:150V
电流:10.0KA
容值:1.5pF
全业半导体股份有限公司 qysemi于1996年创立于台湾新竹高科技园区,是一家专业研制半导体保护器件的研发、生产和销售为一体的技术企业。
全业专注于ESD静电保护、雷击浪涌保护器件及串口芯片,设有专业的EMC测试整改中心。
全业qysemi的ESD、TVS、GDT、MOV、放电管、通信芯片等产品广销全球20多个国家,在ESD静电测试整改、过压雷击浪涌防护、其他瞬态脉冲电压、过流及串口通讯领域为客户提供丰富的解决方案、测试整改等技术服务。
全业主要产品及特点
ESD静电二极管(ESD):
反应速度小于1ns;电容值低(0.05pF);体积小(0201)、封装多样化;漏电流小于1uA;电压值最低可到2.5V。
瞬态抑制二极管(TVS):
响应速度为<1ps级;击穿电压有从3.3V~550V;钳制电压比较准确,误差±5%。
陶瓷放电管(GDT):
脉冲通流容量(峰值电流)0.5kA~20kA;双向对称;电容值小于1pF。
压敏电阻(MOV/TMOV):
通流量大(达80kA);封装种类齐全。
半导体放电管(TSS):
双向对称;响应速度<1ns级;击穿电压一致性好。
玻璃放电管(SPG):
最大放电电流最大达3KA;电路具有双向对称特性;极间电容值小至0.8pF;响应速度小于1ns。
自恢复保险丝(PPTC):
允许工作电流0.05至14A;额定电压最高600V。
主要应用
通讯设备、安防设备、车载设备、家用消费设备、医疗保健设备、工业控制设备、新能源(风能、太阳能)及航天航空业等。
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特性
1、无辐射
2、符合RoHIS标准
3、低插入损耗
4、瞬态反应时间快
5、超低电容
6、在.8/20 us波形的测试环境下能承载10KA的浪涌,符合IEC 61000-4-5
参数
封装:φ6*8.5mm
电压:150V
电流:10.0KA
容值:1.5pF
全业半导体股份有限公司 qysemi于1996年创立于台湾新竹高科技园区,是一家专业研制半导体保护器件的研发、生产和销售为一体的技术企业。
全业专注于ESD静电保护、雷击浪涌保护器件及串口芯片,设有专业的EMC测试整改中心。
全业qysemi的ESD、TVS、GDT、MOV、放电管、通信芯片等产品广销全球20多个国家,在ESD静电测试整改、过压雷击浪涌防护、其他瞬态脉冲电压、过流及串口通讯领域为客户提供丰富的解决方案、测试整改等技术服务。
全业主要产品及特点
ESD静电二极管(ESD):
反应速度小于1ns;电容值低(0.05pF);体积小(0201)、封装多样化;漏电流小于1uA;电压值最低可到2.5V。
瞬态抑制二极管(TVS):
响应速度为<1ps级;击穿电压有从3.3V~550V;钳制电压比较准确,误差±5%。
陶瓷放电管(GDT):
脉冲通流容量(峰值电流)0.5kA~20kA;双向对称;电容值小于1pF。
压敏电阻(MOV/TMOV):
通流量大(达80kA);封装种类齐全。
半导体放电管(TSS):
双向对称;响应速度<1ns级;击穿电压一致性好。
玻璃放电管(SPG):
最大放电电流最大达3KA;电路具有双向对称特性;极间电容值小至0.8pF;响应速度小于1ns。
自恢复保险丝(PPTC):
允许工作电流0.05至14A;额定电压最高600V。
主要应用
通讯设备、安防设备、车载设备、家用消费设备、医疗保健设备、工业控制设备、新能源(风能、太阳能)及航天航空业等。