新洁能具备完善的MOSFET产品矩阵，技术实力和销售规模处于国内领先地位。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功MOSFET的企业之一；也是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一。公司目前已成长为国内8英寸先进工艺平台芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司之一、是国内唯一一家完全基于8英寸芯片工艺平台开发设计MOSFET和IGBT产品的功率半导体设计类龙头企业。于2016-2019连续4年名列中国半导体功率器件十强企业。
根据IHS数据，2016、2017、2018年，公司MOSFET占国内市场份额分别为2.88%、2.83%、3.65%，市场份额逐步提升，是除英飞凌（Infineon）、安森美（ONSemiconductor）、瑞萨电子（RenesasElectronics）等 9 家外资品牌外，国内排名前茅的MOSFET研发设计及销售本土企业。