X光机的曝光区域边缘因为散射辐射和X光管内曝光焦点的大小成模糊状。为了减少散射辐射的产生和曝光区域的模糊感，kVp（这代表了射线能量，热离子释放后电子被这个电势差加速，轰击靶产生X射线）应该怎么调整？
有种做法是降低kVp，因为过高的kVp轰击目标和成像屏时会增加产生的散射辐射。
但分子层面来说，提高kVp可以增加射线的穿透性，从而减少被目标和成像屏中电子吸收射线能量的可能性。从而降低产生的散射辐射。
现在想了一下是不是就算射线能量很大还是可以被目标的电子吸收，从而电离。而不是像能级跃迁一样要能量刚刚好才可以被吸收。。。
希望分享观点共同讨论，谢谢。