GD32F130G6U6TR概述 GD32F130G6U6TR器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130G6U6TR装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。

GD32F130C8T6概述 GD32F130C8T6器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130C8T6装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。 这些

MAX5864ETM产品描述： MAX5864ETM 超低功耗、高度集成的模拟前端非常适合手持通信设备，如手机、pda、WLAN和3G无线终端。 MAX5864ETM 集成了双8位接收ADCs和双10位传输DACs，在超低功耗下提供最高的动态性能。 ADCs的模拟I-Q输入放大器完全差分，并接受1VP-P全尺寸信号。 典型我通道相匹配是±0.1°±0.03 db和振幅匹配。 在fIN = 5.5MHz和fCLK = 22Msps时，ADCs具有48.5dB SINAD和69dBc无伪动态范围(SFDR)。 dac的模拟我输出完全微分±400 mv全面输出,和1.4 v模水平。 典型我通道相位匹

GD32F130F4P6TR概述 GD32F130F4P6TR器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130F4P6TR装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。

GD32F130F8P6TR概述 GD32F130F8P6TR器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130F8P6TR装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。

MAX16054AZT+T产品描述： MAX16054AZT+T是一个按钮开关控制器，带有一个开关卸扣和内置锁存器。 MAX16054AZT+T接受来自机械开关的噪声输入，并在工厂固定的资格延迟后产生一个干净的锁存数字输出。 MAX16054AZT+T消除开关开启和关闭时的触点跳动。 所述输出的状态只有在被所述去杠杆开关输入的下降边缘触发时才会发生变化; 输出在输入的上升边缘保持不变。 健壮开关输入处理±25 v水平和±15千伏ESD保护在恶劣的工业环境中使用。 MAX16054AZT+T具有一个互补的输

ADUM5401ARWZ-RL概述 ADUM5401ARWZ-RL均为集成IC隔离式DC/DC转换器的四通道数字隔离器。 该DC-DC转换器基于ADI公司的iCoupler®技术. 采用5.0 V(5.0V输入电源)或3.3 V电压(3.3V电源)时, 可提供最高500 mW调节隔离功率，从而在低功耗隔离设计中，无需使用单独的隔离DC-DC转换器。 利用iCoupler芯片级变压器技术，能够同时隔离逻辑信号和DC/DC转换器的磁性元件， 因此可提供小尺寸、完全隔离的解决方案。 ADUM5401ARWZ-RL隔离器提供4个独立的隔离通道， 支持多种不同的通道配置

MAX14803CCM+T产品资料： MAX14803CCM+T为超声波成像和打印机应用提供16个通道上的高压开关。 MAX14803CCM+T装置采用HVCMOS工艺技术，通过数字接口控制， 提供了16个高压低压注荷SPST开关。 数据被记录到一个内部16位移位寄存器中，并由一个可编程的锁存器保存， 该锁存器具有启用和清除输入。 一个开机复位功能，确保所有开关在开机时都是打开的。 MAX14803CCM+T具有多种高压电源， 包括:VPP/VNN= +100V/-100V、+200V/0V、+40V/-160V。 数字接口从一个单独的+2.7V到+5.5V VDD

MAX8902BATA+T产皮描述： MAX8902BATA+T低噪声输出电流的线性监管者提供多达500 ma 只有16μv RMS的输出噪声在100千赫带宽。 这些调节器保持其输出电压在一个大的输入范围，只需要100mV的输入输出净空满负荷。 这些ldo保持低80μa典型供应最新,独立于负载电流和压差。 调节器控制电路包括可编程软启动电路和短路电路， 反向电流，热过载保护。其他功能包括使能输入和电源ok输出(仅MAX8902B)。 使用SELA和SELB输入，MAX8902A输出电压可以设置为1 .5V、1.8V、2.0V、2.5V、3

MAX8792ETD+T产品资料： MAX8792ETD+T脉宽调制(PWM)控制器提供高效率，优良的瞬态响应， 和高直流电输出精度需要逐步降低高压电池 在笔记本电脑中产生低压核心或芯片组/RAM偏置电源。 输出电压可以使用动态REFIN动态控制，它支持0到2V之间的输入电压。 瑞芬可调性与反馈输入上的电阻分压器相结合 MAX8792ETD+T可配置为0到0.9 VIN之间的任何输出电压。 格言的专有Quick-PWM™快速反应，PWM控制方案处理宽输入/输出电压比率； 易于，并提供100ns的“即时”响应负载

MAX5980GTJ+T产品咨询： MAX5980GTJ+T是四设备(PSE)功率控制器设计用于在IEEE®802.3 / af-compliant PSE。 MAX5980GTJ+T提供动力设备(PD)发现、分类、电流限制和负载断开检测。 MAX5980GTJ+T支持全自动操作和软件编程。 MAX5980GTJ+T还支持新的2事件分类和5类检测和分类的大功率PDs。 MAX5980GTJ+T支持单电源操作，每个端口最多提供70W(启用了Class 5)，并且仍然为遗留PDs提供高电容检测。 MAX5980GTJ+T具有i2c兼容，三线串行接口，是完全软件配置和可编程。 MAX5980GTJ+T通过I2C接口提供端

MAX5891EGK+D产品描述： MAX5891EGK+D高级16位，600Msps，数字-模拟转换器(DAC)能够满足无线基站 和其他通信中对信号合成应用的要求应用程序。 MAX5891EGK+D 由3.3V和1.8V供电，支持600Msps的更新速率，使用高速LVDS输入， 同时只消耗298mW的电力，并提供卓越的动态性能OUT = 30MHz时的80dBc无伪动态范围(SFDR)。 MAX5891EGK+D采用电流导向结构，支持2mA到20mA全尺寸输出电流范围， 并产生2 dbm - -22 dbm的输出信号水平double-terminated 50Ω负载。 MAX5891EGK+D具有集成的1.2V带隙基准和控制

MAX5128ELA+T产品描述： MAX5128ELA+T非挥发性，单，线性锥度，数字电位器执行功能的机械电位器， 但是用一个简单的2线数字接口代替了机械。 MAX5128ELA+T执行与离散电位器或变量相同的功能 MAX5128ELA+T22 kΩ电阻器和特性的端到端阻力。 MAX5128ELA+T还有一个尺度2毫米x 2毫米µDFN包和低0.5µa (typ)备用电源电流,从而使该设备适合便携式应用。 MAX5128ELA+T的工作电压为+2.7V到+5.25V。 一个集成的非易失性存储器回忆数字电位器的编程雨刷位置。 一个简单的2线上下接口

MAX4544EUA+T产品描述： MAX4544EUA+T是一种精密的双模拟开关，设计用于操作从一个+2.7V到+12V电源。 低功耗(5µw)使这些部分适合电池供电设备。 这些开关提供低泄漏电流(100pA max)和快速切换速度(tON = 150ns max, tOFF = 100ns max)。 + 5 v电源供电时,MAX4541-MAX4544提供2Ω马克斯渠道之间的匹配,60Ω最大导通电阻(罗恩)和6Ω马克斯·罗恩平坦。 这些开关还提供5pC最大电荷注入和每个方法3015.7最小2000V ESD保护。 MAX4544EUA+T是双单极/单投(SPST)设备，MAX4544是单极/双投(SPDT)设备。 M

ADUM5211ARSZ产品描述： ADUM5211ARSZ均为双通道数字隔离器，集成isoPower®隔离式DC/DC转换器。 采用ADI公司的iCoupler®技术，能够提供可在3.15 V和5.25 V之间调节的稳压隔离电源。 输入电源电压可以略低于所需输出，也可以远高于所需输出。 在低功耗隔离设计中，ADUM5211ARSZ无需使用单独的隔离式DC/DC转换器。 利用iCoupler芯片级变压器技术，能够隔离逻辑信号和DC/DC转换器的磁性元件。 因此，可提供小尺寸、完全隔离的解决方案。 isoPower利用高频开关元件，通过

MAX3814CHJ+T产品描述： MAX3814CHJ+T ***™/驱动器集成电路补偿FR-4和电缆损失的DVI™/ HDMI®传送连接器和 提供了一个完全兼容的DVI / HDMI ***输出。 MAX3814CHJ+T 还可用于DVI/HDMI电缆的应用，以扩展接收端连接器的电缆通道的延伸范围和改善其抖动裕度。 MAX3814CHJ+T ***驱动程序运行在一个标准的当前水平实现一个典型的DVI / HDMI 发射器, 以及电流模式高50%使用终止200Ω电阻(不匹配)实现10dB的返回损耗。 典型的DVI/HDMI输出驱动程序会导致连接器和典型的高

GD32F107VCT6概述 本文基于 GD32 MCU 通用串行总线全速接口、高速接口的结构， 介绍 USBFS/USBHS 模块的 工作原理、固件库架构， 简要描述了固件库函数的功能、主机状态机和 USB 中断的工作原理， 以 MSC 主机和 HID 设备为例，概括地说明 USB 主机和设备的实现过程。 GD32F107VCT6原理简介 目前，GD32F105/107/205/207/305/307/350/4xx/E103 系列 MCU 具有 USBFS 接口模块， 且 这些系列中 USBFS 接口模块的架构及原理相同， 在本指南中将为读者以 GD32F4xx 系列为例 介绍 USBFS 接口模

MAX3806GTC+产品描述 MAX3806GTC+是一种高增益线性前置放大器，用于激光测距应用。 MAX3806GTC+从一个+5.0V电源工作，并将电流从交流耦合光电二极管转换为单端电压信号。 该输入接受单个脉冲或脉冲爆发宽度可达30ns。 放大器是线性的输入振幅42小睡40μap(信噪比= 3)。 MAX3806GTC+还可以承受2mAP大小的过载信号。 输出级的设计目的是驱动高阻抗负载，以尽可能低的功耗输出电压摆动。 前置放大器的增益阶段选择使用获得60 kΩ或30 kΩ销。 还有一个内部的14dB衰减

MAX3747AEUB+T产品描述： MAX3747AEUB+T多速率限制放大器通过OC-48同步光网络(SONET)作为OC-3的数据量化器， 光纤通道和千兆以太网光接收机。 他们是针对针兼容的SY88993V从Micrel半导体公司，Inc.。 放大器接受广泛的输入电压范围，并提供恒定电平，电流模式逻辑(CML)输出电压与控制边缘速度。 MAX3747AEUB+T增强了在过载条件下的LOS操作。 MAX3747AEUB+T限制放大器具有一个可编程的信号丢失检测(LOS)和一个可选的禁用函数(disable)，可组合来实现squelch。 MAX3747AEUB+T可用3

MAX2051ETP+产品描述： MAX2051ETP+高线性，上/下转换混频器提供+35dBm输入IP3, 7.8dB噪声图(NF)， 850MHz到1550MHz无线基础设施和多载波电缆头端下游视频的7.4dB转换损耗 视频点播(VOD)和电缆调制解调器终端系统(CMTS)的应用。 MAX2051ETP+还能很好地抑制杂散互调产品(> 77dBc在-14dBm射频水平下)， 使它的理想下变频器DOCSIS®3.0和欧元DOCSIS电缆高端系统。 LO电路经过调谐，支持的频率范围为1200MHz至2250MHz， MAX2051ETP+适用于50 - 1000MHz中频范围内的高端LO注入应用。 除了提供

MAX1501ETE+产品资料： MAX1501ETE+智能恒流恒压(CCCV)温控电池充电器可为单个锂离子电池(Li+)或三芯镍氢/镍镉电池充电。 MAX1501ETE+集成了电流感应电阻，PMOS通元件和热失调电路，同时消除了反向阻塞 肖特基二极管为手持设备提供最简单的充电解决方案。 对于单芯Li+电池，MAX1501ETE+作为独立充电器，通过快速充电，从资格预审状态控制充电顺序，和电荷终止。 对于3芯镍氢/镍镉电池，MAX1501ETE+需要与单片机协作来确定最佳充电算法。 专利热调节电路限制模

ADUM5401ARWZ-RL产品描述： ADUM5401ARWZ-RL均为集成isoPower®隔离式DC/DC转换器的四通道数字隔离器。 ADUM5401ARWZ-RL DC-DC转换器基于ADI公司的iCoupler®技术. 采用5.0 V(5.0V输入电源)或3.3 V电压(3.3V电源)时,可提供最高500 mW调节隔离功率， 从而在低功耗隔离设计中，无需使用单独的隔离DC-DC转换器。 利用iCoupler芯片级变压器技术，能够同时隔离逻辑信号和DC/DC转换器的磁性元件，因此可 提供小尺寸、完全隔离的解决方案。 ADUM5401ARWZ-RL隔离器提供4个独立的隔离通道，支持

GD32F105RBT6概述 本文基于 GD32 MCU 通用串行总线全速接口、高速接口的结构， 介绍 USBFS/USBHS 模块的 工作原理、固件库架构， 简要描述了固件库函数的功能、主机状态机和 USB 中断的工作原理， 以 MSC 主机和 HID 设备为例，概括地说明 USB 主机和设备的实现过程。 GD32F105RBT6原理简介 目前，GD32F105/107/205/207/305/307/350/4xx/E103 系列 MCU 具有 USBFS 接口模块， 且 这些系列中 USBFS 接口模块的架构及原理相同， 在本指南中将为读者以 GD32F4xx 系列为例 介绍 USBFS 接口模

GD32F105RCT6概述 本文基于 GD32 MCU 通用串行总线全速接口、高速接口的结构， 介绍 USBFS/USBHS 模块的 工作原理、固件库架构， 简要描述了固件库函数的功能、主机状态机和 USB 中断的工作原理， 以 MSC 主机和 HID 设备为例，概括地说明 USB 主机和设备的实现过程。 GD32F105RCT6原理简介 目前，GD32F105/107/205/207/305/307/350/4xx/E103 系列 MCU 具有 USBFS 接口模块， 且 这些系列中 USBFS 接口模块的架构及原理相同， 在本指南中将为读者以 GD32F4xx 系列为例 介绍 USBFS 接口模

GD32F105VCT6概述 本文基于 GD32 MCU 通用串行总线全速接口、高速接口的结构， 介绍 USBFS/USBHS 模块的 工作原理、固件库架构， 简要描述了固件库函数的功能、主机状态机和 USB 中断的工作原理， 以 MSC 主机和 HID 设备为例，概括地说明 USB 主机和设备的实现过程。 GD32F105VCT6原理简介 目前，GD32F105/107/205/207/305/307/350/4xx/E103 系列 MCU 具有 USBFS 接口模块， 且 这些系列中 USBFS 接口模块的架构及原理相同， 在本指南中将为读者以 GD32F4xx 系列为例 介绍 USBFS 接口模

GD32F130G8U6概述 GD32F130G8U6器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130G8U6装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。 这些

GD32F130G6U6TR概述 GD32F130G6U6TR器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130G6U6TR装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。

GD32F130K8U6概述 GD32F130K8U6器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130K8U6装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。 这些

GD32F130K6U6概述 GD32F130K6U6器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130K6U6装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。 这些

GD32F130R8T6概述 GD32F130R8T6器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130R8T6装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。 这些

GD32F130F6P6TR概述 GD32F130F6P6TR器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130F6P6TR装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。

GD32F130G4U6概述 GD32F130G4U6器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130G4U6装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。 这些

GD32F130C6T6概述 GD32F130C6T6器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130C6T6装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。 这些

GD32F130R8T6概述 GD32F130R8T6器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130R8T6装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。 这些

GD32F130K4U6概述 GD32F130K4U6器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130K4U6装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。 这些

GD32F130C4T6概述 GD32F130C4T6器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130C4T6装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。 这些

GD32F105RBT6 产品概述： GD32F105RBT6设备属于GD32单片机家族的连接线。 GD32F105RBT6是一种基于ARMCortex-M3 RISC的32位通用微控制器。 具有增强的连接性能和最佳处理能力比率的核心， 降低了功耗和外围设备。 Cortex-M3是下一代处理器核心，与嵌套的否决中断控制器（NVIC）紧密耦合。 系统计时和高级调试支持。 GD32F105RBT6设备包含ARM Cortex-M3 32位处理器核心在108MHz频率下运行， 闪存访问为零等待状态以获得最大效率。 GD32F105RBT6提供高达1 MB的片上闪存和高达96KB的SR

GD32F105RCT6 产品概述： GD32F105RCT6设备属于GD32单片机家族的连接线。 GD32F105RCT6是一种基于ARMCortex-M3 RISC的32位通用微控制器。 具有增强的连接性能和最佳处理能力比率的核心， 降低了功耗和外围设备。 Cortex-M3是下一代处理器核心，与嵌套的否决中断控制器（NVIC）紧密耦合。 系统计时和高级调试支持。 GD32F105RCT6设备包含ARM Cortex-M3 32位处理器核心在108MHz频率下运行， 闪存访问为零等待状态以获得最大效率。 GD32F105RCT6提供高达1 MB的片上闪存和高达96KB的SR

GD32F105RBT6 产品概述： GD32F105RBT6设备属于GD32单片机家族的连接线。 GD32F105RBT6是一种基于ARMCortex-M3 RISC的32位通用微控制器。 具有增强的连接性能和最佳处理能力比率的核心， 降低了功耗和外围设备。 Cortex-M3是下一代处理器核心，与嵌套的否决中断控制器（NVIC）紧密耦合。 系统计时和高级调试支持。 GD32F105RBT6设备包含ARM Cortex-M3 32位处理器核心在108MHz频率下运行， 闪存访问为零等待状态以获得最大效率。 GD32F105RBT6提供高达1 MB的片上闪存和高达96KB的SR

GD32F130G4U6概述 GD32F130G4U6器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130G4U6装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。 这些

GD32F130K4U6概述 GD32F130K4U6器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130K4U6装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。 这些

GD32F130C4T6概述 GD32F130C4T6器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130C4T6装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。 这些

GD32F130C6T6概述 GD32F130C6T6器件属于GD32单片机系列, 它是基于高性能的32位通用微控制器 ARM® core - m3 RISC core处理能力最佳，降低功耗和外围设置。 Cortex®-M3是与之紧密耦合的下一代处理器核心 一个嵌套的矢量中断控制器(NVIC)，SysTick定时器和高级调试支持。 GD32F130C6T6装置采用ARM Cortex-M3型32位孔管取芯器 72兆赫频率与闪存访问零等待状态，以保持最大的效率。 它提供多达64 KB的片上闪存和多达8 KB的SRAM内存。 广泛的增强I/OS和外设连接到两个APB总线。 这些

GD32F105R8T6 产品概述： GD32F105R8T6设备属于GD32单片机家族的连接线。 GD32F105R8T6是一种基于ARMCortex-M3 RISC的32位通用微控制器。 具有增强的连接性能和最佳处理能力比率的核心， 降低了功耗和外围设备。 Cortex-M3是下一代处理器核心，与嵌套的否决中断控制器（NVIC）紧密耦合。 系统计时和高级调试支持。 GD32F105R8T6设备包含ARM Cortex-M3 32位处理器核心在108MHz频率下运行， 闪存访问为零等待状态以获得最大效率。 GD32F105R8T6提供高达1 MB的片上闪存和高达96KB的SR

GD32F105RDT6产品概述： GD32F105RDT6设备属于GD32单片机家族的连接线。 GD32F105RDT6是一种基于ARMCortex-M3 RISC的32位通用微控制器。 具有增强的连接性能和最佳处理能力比率的核心， 降低了功耗和外围设备。 Cortex-M3是下一代处理器核心，与嵌套的否决中断控制器（NVIC）紧密耦合。 系统计时和高级调试支持。 GD32F105RDT6设备包含ARM Cortex-M3 32位处理器核心在108MHz频率下运行， 闪存访问为零等待状态以获得最大效率。 GD32F105RDT6提供高达1 MB的片上闪存和高达96KB的SRA

GD32F105RDT6产品概述： GD32F105RDT6设备属于GD32单片机家族的连接线。 GD32F105RDT6是一种基于ARMCortex-M3 RISC的32位通用微控制器。 具有增强的连接性能和最佳处理能力比率的核心， 降低了功耗和外围设备。 Cortex-M3是下一代处理器核心，与嵌套的否决中断控制器（NVIC）紧密耦合。 系统计时和高级调试支持。 GD32F105RDT6设备包含ARM Cortex-M3 32位处理器核心在108MHz频率下运行， 闪存访问为零等待状态以获得最大效率。 GD32F105RDT6提供高达1 MB的片上闪存和高达96KB的SRA

GD32F105RET6产品概述： GD32F105RET6设备属于GD32单片机家族的连接线。 GD32F105RET6是一种基于ARMCortex-M3 RISC的32位通用微控制器。 具有增强的连接性能和最佳处理能力比率的核心， 降低了功耗和外围设备。 Cortex-M3是下一代处理器核心，与嵌套的否决中断控制器（NVIC）紧密耦合。 系统计时和高级调试支持。 GD32F105RET6设备包含ARM Cortex-M3 32位处理器核心在108MHz频率下运行， 闪存访问为零等待状态以获得最大效率。 GD32F105RET6提供高达1 MB的片上闪存和高达96KB的SRA

GD32F105RDT6产品概述： GD32F105RDT6设备属于GD32单片机家族的连接线。 GD32F105RDT6是一种基于ARMCortex-M3 RISC的32位通用微控制器。 具有增强的连接性能和最佳处理能力比率的核心， 降低了功耗和外围设备。 Cortex-M3是下一代处理器核心，与嵌套的否决中断控制器（NVIC）紧密耦合。 系统计时和高级调试支持。 GD32F105RDT6设备包含ARM Cortex-M3 32位处理器核心在108MHz频率下运行， 闪存访问为零等待状态以获得最大效率。 GD32F105RDT6提供高达1 MB的片上闪存和高达96KB的SRA

GD32F105V8T6 产品概述： GD32F105V8T6设备属于GD32单片机家族的连接线。 GD32F105V8T6是一种基于ARMCortex-M3 RISC的32位通用微控制器。 具有增强的连接性能和最佳处理能力比率的核心， 降低了功耗和外围设备。 Cortex-M3是下一代处理器核心，与嵌套的否决中断控制器（NVIC）紧密耦合。 系统计时和高级调试支持。 GD32F105V8T6设备包含ARM Cortex-M3 32位处理器核心在108MHz频率下运行， 闪存访问为零等待状态以获得最大效率。 GD32F105V8T6提供高达1 MB的片上闪存和高达96KB的SR

GD32F105RGT6 产品概述： GD32F105RGT6设备属于GD32单片机家族的连接线。 GD32F105RGT6是一种基于ARMCortex-M3 RISC的32位通用微控制器。 具有增强的连接性能和最佳处理能力比率的核心， 降低了功耗和外围设备。 Cortex-M3是下一代处理器核心，与嵌套的否决中断控制器（NVIC）紧密耦合。 系统计时和高级调试支持。 GD32F105RGT6设备包含ARM Cortex-M3 32位处理器核心在108MHz频率下运行， 闪存访问为零等待状态以获得最大效率。 GD32F105RGT6提供高达1 MB的片上闪存和高达96KB的SR