双层外延下的条形trench EAS能力总是不好，单层外延EAS OK是为什么

生产基地位于宝龙工业区，占地面积 10万 万 平方米，具备规模化制造能力； · 一条 5 英寸双极功率晶体管及肖特基芯片生产线, , 产能 6万片 万片 / / 月； · 一条 5 英寸 MOS 芯片生产线，产能 4万片 万片 / / 月； · 一条 6 英寸（ 0.35um ）生产线，目前产能 30000片 片 / 月 ； · 一条大功率晶体管及 IC 封装生产线，月产 8千万 千万 只

为功率半导体、汽车功率模块、工业功率模块和工业混合动力提供领先的锲焊设备 可焊25微米到500微米的圆形铝线。

五大系列烧结银助力中国功率半导体的发展 近几年来，随着高功率密度的第三代半导体、先进射频及光通讯、多层堆叠Chiplet，人工智能、自动驾驶、5G网络、物联网等新兴产业的不断发展，烧结银也开始获得广泛关注，逐步应用于新能源汽车、光伏逆变器、手机快充、射频通讯等领域，具有较大市场前景。以新能源车为例，SiC器件封装中，烧结银已经成为不可或缺的一环。 当银颗粒尺寸减小至纳米尺寸时，颗粒的比表面积增加，表面原子的迁移活性

西安赛米特电子科技有限公司（Xi'an Semite Electronics Co.,Ltd） 地址：陕西省西安市高新区西部大道170号丰泽科技园 联系人：罗工 联系电话：16601750913 邮箱：sales@semite.cn

半导体器件硕士毕业的话，想做器件设计，国内公司能给多少呢

设备名称：OE 3600 用于芯片和基板的引线键合，可焊100-500um铝丝。 设备原使用厂家是德国英菲凌

现在新兴市场也在用华微电子的功率半导体器件吗？

NXP，ST，安森美，英飞凌，TI库存不定时更新私聊具体料号

通过IATF 16949 氧化铝、氧化锆、氮化硅陶瓷覆铜板 可联系我们 QQ:75038240

海飞乐技术的IGBT封装Easy2B (57mm*63mm*12mm) 分为：EasyPIM 2B EasyPACK 2B这两种IGBT封装。 海飞乐技术的规格有：600V/10A，600V/15A，EasyPIM 1B封装600V/20A，600V/35A的IGBT模块，600V/50A；1200V/10A，1200V/15A，EasyPIM 2B封装1200V/20A，1200V/35A，1200V/50A，EasyPIM 2B封装1200V/75A，1200V/100A 往下拉，有详细的产品信息。

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海飞乐技术专注IGBT高可靠性功率芯片研发， 利用具有自主知识产权的创新结构打破国外技 术垄断，以期实现中国功率芯片弯道超车。结 合国内芯片工艺水准，融合 IGBT 和 MCT 的 优势，在国际上首创一种高可靠性功率器件 MCKT，有望在新能源以及高压直流输电领域 发挥其特有的价值。 集合 MCT 与 IGBT 优点于一身的 MCKT MCT：MOS 控制 + 晶闸管导电 由 V.A.K. Temple 于 1984 年提出，MCT 在提 出之时曾被喻为最理想的功率半导体器件！然 而在产品化过程中人们发

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海飞乐技术300A的肖特基模块 替换已经停产的美高森美肖特基 CPT30035 301CNQ035 300A35V肖特基二极管模块 CPT30040

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