晶圆划片机吧
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  • 机械制造
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    特性: 1、 陶瓷区域内吸附 同一陶瓷面积上,可放置大小不等的工件做吸附功能; 2、 高耐热性 因是高温烧结而成的物质,本身具有耐高温的特性; 3、 耐化学腐蚀性 惰性材料,对酸碱等反学反应弱 4、 耐磨损性 具有陶瓷坚硬的特性,耐损耗,可长期使用 5、 轻量 内部结构均匀气孔,比重系数为1.6-2.8 6、 绝缘性能高 绝缘材质,消散静电特性 7、 无粉尘 完全烧结,无粉尘。
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    氧化 氧化过程的作用是在晶圆表面形成保护膜。它可以保护晶圆不受化学杂质影响、避免漏电流进入电路、预防离子植入过程中的扩散以及防止晶圆在刻蚀时滑脱。 氧化过程的第一步是去除杂质和污染物,需要通过四步去除有机物、金属等杂质及蒸发残留的水分。清洁完成后就可以将晶圆置于800至1200摄氏度的高温环境下,通过氧气或蒸气在晶圆表面的流动形成二氧化硅(即“氧化物”)层。氧气扩散通过氧化层与硅反应形成不同厚度的氧化层,可以
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    互连 半导体的导电性处于导体与非导体(即绝缘体)之间,这种特性使我们能完全掌控电流。通过基于晶圆的光刻、刻蚀和沉积工艺可以构建出晶体管等元件,但还需要将它们连接起来才能实现电力与信号的发送与接收。 金属因其具有导电性而被用于电路互连。用于半导体的金属需要满足以下条件: 低电阻率:由于金属电路需要传递电流,因此其中的金属应具有较低的电阻。 热化学稳定性:金属互连过程中金属材料的属性必须保持不变。 高可靠性
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    薄膜沉积 为了创建芯片内部的微型器件,我们需要不断地沉积一层层的薄膜并通过刻蚀去除掉其中多余的部分,另外还要添加一些材料将不同的器件分离开来。每个晶体管或存储单元就是通过上述过程一步步构建起来的。我们这里所说的“薄膜”是指厚度小于1微米(μm,百万分之一米)、无法通过普通机械加工方法制造出来的“膜”。将包含所需分子或原子单元的薄膜放到晶圆上的过程就是“沉积”。 要形成多层的半导体结构,我们需要先制造器件
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    晶圆划片切割中,总会遇到各种情况,而最常见的就是工件的崩边问题,崩边包括:正崩,背崩,掉角及裂痕等。而有很多种不同因素都会导致崩边的产生,比如工件表面情况、粘膜情况、冷却水、刀片等。 晶圆划片如何提高切割品质 尽可能减少崩边产生对划片机来说是至关重要的,国产划片机陆芯半导体也一直在不断地摸索各种材质的最优切割工艺,以提高切割品质并为客户提供优质服务为己任。陆芯半导体通过不断开拓创新,提高划片机切割不
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    钽酸锂是重要的多功能晶体材料,具有压电、介电、热电、电光效应、非线性光学效应和声光效应等重要特性。钽酸锂晶圆的主要原料是高纯度氧化钽和碳酸锂,它们是制作微波声学器件的良好材料。 钽酸锂晶圆,钽酸锂的直径为100±0.2mm,厚度为0.2~0.25mm 。 应用: 抛光LT芯片因其良好的机电耦合,广泛用于制造谐振器、滤波器、传感器等电子通信器件,尤其是高频表面波器件,温度系数等综合性能,广泛应用于手机、对讲机、卫星通信、航空航天
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    一、晶圆加工 所有半导体工艺都始于一粒沙子!因为沙子所含的硅是生产晶圆所需要的原材料。晶圆是将硅(Si)或砷化镓(GaAs)制成的单晶柱体切割形成的圆薄片。要提取高纯度的硅材料需要用到硅砂,一种二氧化硅含量高达95%的特殊材料,也是制作晶圆的主要原材料。晶圆加工就是制作获取上述晶圆的过程。 1、铸锭 首先需将沙子加热,分离其中的一氧化碳和硅,并不断重复该过程直至获得超高纯度的电子级硅(EG-Si)。高纯硅熔化成液体,进而再凝固
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    公司创办至今,一直将自主创新放在重要位置,并高度重视研发工作。2018年,国内外主流6英寸划片机一直采用同步带、涡轮蜗杆等机械辅助传动转台方案。经过数月的调查和不断的试验,通过大量的数据积累和不断的设计改进,陆芯团队成功地攻克了直驱电机转角结构方案,使转角定位精度及稳定性大幅度提高,一举达到国际先进水平。在以公司精密划片机型号LX-6366为代表(兼容6〜12寸晶圆,双头切割,自动修复法兰,CCD双镜头,重复精度1μm),
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    精密划片机是一种高精密设备,精度的稳定性、使用的安全性及可靠性都与工作的环境、维护保养息息相关。 1 、环境与外围要求 划片机必须安装在无振动源,室内温度为 20 、25 摄氏度的净化间内,并配有气源、水源、电源、排污口、抽雾装置等。 气源要求是经过过滤、冷凝、卜燥洁净的压缩空气,压力不低于 0 . 5 入 IPa ,过滤精度大于 0 . 01 " m ,露点一 15℃ 、除去油分 99 . 5 %。 主轴冷却水建议用去离子水,压力不低于 0 . 2 即 a ,流量大于 1
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    硬脆材料划片的实现依赖于锐利的金刚石刀片和高精度、高刚性的划片装置,以及高精度的空气静压主轴等来实现。在了解硬脆材料的性能和划片机理的基础上,作为设备制造厂家对硬脆材料划片工艺的研究,就显得十分必要和紧迫,对工艺参数的研究和优化,能够支持设备及半导体行业的发展。 砂轮划片机的划片质量和划片效率,与划片工艺参数有十分密切的关系.在划片硬脆材料中,划切道宽度与崩边的大小,主要是受主轴转速、刀片、划片速
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    一、精密划片机行业介绍 划片机是使用刀片或通过激光等方式高精度切割被加工物的装置,是半导体后道封测中晶圆切割和WLP切割环节的关键设备。随着集成电路沿大规模方向发展,划片工艺呈现愈发精细化、高效化的趋势。从19世纪60年代采用划线加工法依赖于人工操作的金刚刀划片机,到1968年英国LP公司发明的金刚石砂轮划片机采用研磨的工艺替代了传统的划线断裂工艺,再到后续的自动化划片机进一步提升了划片的效率。目前划片机广泛用于半
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    陆芯晶圆切割机:从磨砂处理到芯片“诞生” 晶圆切割也叫划片,是将晶圆经过磨砂处理后,切割成一个个单独的芯片,为后续工序做准备的过程。 晶圆切割机首先要进行磨砂工序,去除在前端工艺中受化学污染的部分,减少晶圆厚度;在进行磨砂处理之前,需将UV胶带覆盖在晶圆正面,这样可以避免晶圆在切割过程中受到损伤;UV胶带黏着性高,可以防止晶圆脱落,之后用真空卡盘桌吸住,研磨晶圆的背面使其变薄。 在磨砂处理后,继续在晶圆背
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    随着光电技术、微加工技术和电子信息技术的迅猛发展,以集成电路(IC)为代表的电子元器件(如LED芯片、PC芯片、电容器、电阻器、传感器和PCB板等)向微型化、高集成度、小尺寸化以及精密化方向发展。为满足装置轻薄、低功耗设计需求,晶圆厚度越来越薄、晶圆尺寸越来越大、芯片之间的线宽、切割槽以及芯片尺寸都进一步减小。为提高划切效率,降低废品率以减小芯片制造成本,对划切技术提出了更高的要求,要求精密划片机具有高稳定性
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    设备名称:手动式清洗机 强化洗净能力,适用于8英寸以下的产品,可自由的设定清洗程序。 设备型号:台湾崇信 出厂日期:2014年
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    集成电路从电子管到超大规模集成电路的方向发展,IC集成度越高,伴随对封装技术的要求也是越发的精细化。划片机是IC封装生产过程中的关键设备之一,用于将含有很多芯片的晶圆切割成一个个晶片颗粒,其切割加工能力一定程度上决定了芯片封装的成品率与性能。IC晶圆,一般由硅(Si)构成,分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等,晶片就是基于wafer制造而成。IC需要将Wafer上的一个子单元即一个晶片颗粒从晶圆体上分割得到。 IC封装简介 FOL– Front o
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    集成电路从电子管到超大规模集成电路的方向发展,IC集成度越高,伴随对封装技术的要求也是越发的精细化。划片机是IC封装生产过程中的关键设备之一,用于将含有很多芯片的晶圆切割成一个个晶片颗粒,其切割加工能力一定程度上决定了芯片封装的成品率与性能。IC晶圆,一般由硅(Si)构成,分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等,晶片就是基于wafer制造而成。IC需要将Wafer上的一个子单元即一个晶片颗粒从晶圆体上分割得到。 IC封装简介https://www.ilu
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    国产半导体切割设备破冰,可支持5nm 现在大家的目光一定是在芯片生产上,但是成品芯片的生产工艺是不是只有一种?不是,还有一个同样重要的环节,就是封测,而封测的第一步就是晶圆切割。什么是晶圆的切割? 有必要知道芯片是怎么生产的。第一,通过提纯石英砂,可以得到冶金级的硅,多晶硅可以再加工成圆片。然后芯片代工厂出来,把芯片电路刻在晶圆上,然后进入第三步封装测试。https://www.iluxintech.com/show-28-61.html 封测首先是对晶片的切
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    精密划片机目前以砂轮机械切割为主,激光是重要补充。划片机主要包括砂轮划片机和激光划片机: (1)砂轮划片机是综合了水气电、空气静压高速主轴、精密机械传动、传感器及自动化控制等技术的精密数控设备,在国内也称为精密砂轮切割机。 (2)激光划片机是利用高能激光束照射在工件表面,使被照射区域局部熔化、气化、从而达到划片的目的。 目前市场以砂轮划片机为主,主要是: (1)激光切割不能使用大功率以免产生热影响区(HAZ)
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    精密划片机的切割刀如何选用?划片刀采用独特工艺,将划片刀与铝合金法兰合成一体,使其具有更高的精度。能对各种硬脆材料进行开槽和切断。 采用精选的金刚石磨料,使划片刀具有卓越的切削性能和超长的使用寿命。采用先进的制造工艺对金刚石磨料的浓度和结合剂的控制,有效降低了切割时材料崩边发生的概率。 刀片切割应用领域: 硬刀—半导体晶圆等硅材料 软刀—LED封装材料、压电陶瓷等材料 https://www.iluxintech.com/show-28-59.html 金属刀片—
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    UVLED解胶机是用来解除UV胶膜和切割膜胶带之间粘结的全自动解胶设备。许多晶圆半导体行业在生产过程中,需要先把晶圆切片用划片胶固定起来,然后进行划片加工处理,最后通过UVLED光源对固定好的晶圆切片进行照射,使晶元切片上的UV胶膜发生硬化,从而降低与切割膜胶带之间的粘性,从而达到轻松将胶带从晶圆切片上取下来,UVLED解胶机完美的解决了晶圆行业、玻璃制品和陶瓷切割上的解胶工序。 UVLED解胶机采用箱体式结构,机器内部配有UVLED紫
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    LED显示屏向miniLED的发展意味着LED尺寸的减小,LED尺寸的减小使得加工过程中的切割误差容限越来越低,对细度的要求越来越高。此外,LED芯片和光珠尺寸的减小意味着相同面积的晶圆或PCB板上切割出的颗粒越多,因此对切割机的效率也提出了更高的要求。 然而,传统的半自动砂轮切割设备采用手动送料和下料操作。由于人工操作,工件安装位置不准确,加工精度低,劳动强度高,自动化程度低,废品率高,加工效率低。传统的半自动砂轮切割晶圆的
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    随着科技的发展,雾化的方式也愈发多样化。 如高压气体雾化、超声波雾化、微波加热雾化、电阻加热雾化,等等。作为雾化技术的“心脏”,雾化芯决定着雾化效果和体验。   如今,陶瓷在雾化科技领域迸发活力,成为高品质雾化芯的标配。 那么,陶瓷造雾的原理是什么?陶瓷材料有什么优势?本文,我们将带领大家,一探其中的奥秘。 1、为什么用陶瓷做材料?   陶瓷并非唯一应用于电子雾化器中雾化芯的材料。   纤维绳、有机棉、无纺
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    精密划片机操作以及注意事项 1.提前贴好绿膜或者其他蓝膜并把产品摆正放置固定位置 2.放置工作台并摆正 3.进入自动识别抓取两点并进行自动识别 4.识别完毕进行切割 注意事项 1.测高时工作台上不能有任何物品 2.切割前检查参数是否选择正确 3.更换刀片需检查是否流畅转动 4.工作人员不在现场时需关闭主轴并锁屏 5.工作结束关闭水 气 电进行关闭并检查机械是否正常 6.人员不允许在切割时或主轴转动时身体进入机械内 7.法兰与拆刀法兰 刀片 工作盘
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    1平行度。 如果主轴水平不符合要求,切割后的刀槽会变宽,边缘会严重坍塌。例如,NBC-ZH2050O-SE27HEDD刀具切割硅晶圆,主轴转速3万r/min、划切速度20mm/s时间。理想的刀痕为0.030~0.035mm,当主轴打表水平等于5时μm实测刀痕为0.045mm。 2垂直度。 如果切割后工件的刀槽一侧坍塌,裂纹严重,另一侧正常,通常由于主轴垂直度不足,可根据坍塌边缘确定主轴的仰角或俯角。http://www.iluxintech.com 3.主轴速度。 主轴速度匹配切割速度,影响切割效果是主轴速度,
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    划片机是半导体封装环节中的重要设备,目前国内的晶圆划片机市场主要由海外企业占据主导地位,但随着国产化替代趋势的逐步明朗,和国产化技术的不断提升,深圳陆芯半导体企业逐渐崭露头角,在市场上开始形成了一定的影响力。 划片机主要部件采用不锈钢和铝合金制造,质量可靠,性能稳定;操作简单,主要部件采用不锈钢和铝合金制造,质量可靠,性能稳定;涂膜精度高,稳定性好;操作简单,配件:工作盘、刀夹、NDS耗材:魔术刀板、
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    2021年7月30日,中共中央政治局会议进一步强化科技自立的重要地位,强化科技创新和产业链供应链韧性,加强基础研究,推动应用研究,开展补链强链专项行动,加快解决卡脖子难题,发展专精特新中小企业。 作为国家重点战略布局的半导体行业,从研发,生产,加工,封装等多个产业链环节,一直存在卡脖子的难题。为实现中国高端制作强国之路,陆芯积极响应,专注半导体切割加工环节,以国产替代为目标不懈努力着。 “专精特新”企业 深圳
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    氧化铝陶瓷的应用 在熔点超过2000℃的氧化物中,氧化铝陶瓷是应用最广泛、用途最广、产量最大的陶瓷材料。主要用于航空航天、汽车、消费品加工、半导体(广泛应用于多层布线陶瓷基板、电子封装和高密度封装基板)、刀具、球阀、砂轮、陶瓷钉、轴承、人工骨、人工关节、人工牙等领域。 氧化铝陶瓷简介 氧化铝化学式Al2O3是高硬度化合物,熔点2054℃,沸点2980℃。根据氧化铝含量的不同,普通氧化铝陶瓷可分为99瓷、95瓷、90瓷和85瓷。以铝土
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    随着材料技术的发展,陶瓷基板因其优越的物理化学性能,越来越多地应用于科学研究和工业应用领域。从精密微电子,到航空、船舶等重工业,再到普通***常生活用品,陶瓷基板几乎存在于各个领域。 但陶瓷基板结构紧凑,有一定的脆性。虽然可以用普通的机械方法加工,但加工过程中存在应力,特别是一些薄的陶瓷片,非常容易开裂。这使得陶瓷基板的加工成为广泛应用的难点。 LX3352精密晶圆切割机配备1.8kw大功率直流主轴;高刚性浇口结构; T
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    光学玻璃是光电技术产业的基础和重要组成部分。其以二氧化硅为主要成分,具有耐高温、膨胀系数低、机械强度高、化学性能好等特点,涉及光通讯器件、光传输等领域。https://www.iluxintech.com/show-28-32.html 主要切割特点: 切割精度要求较高,正崩和背崩等切割品质要求高; 部分石英玻璃厚度较大,需要用较大功率主轴、配置合适的切割参数、选择合适的切割刀片,适用性要求高; 产品附加值较高,对设备可靠性要求较高。 陆芯精密切割优势: 1.设
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    晶圆切割原理及目的: 晶圆切割的目的主要是切割和分离晶圆上的每个芯片。首先在晶圆背面粘上一层胶带,然后送入晶圆切割机进行切割。切割后,模具将有序排列并粘附在胶带上。同时,框架的支撑可以防止因胶带起皱而导致模具碰撞,有利于搬运过程。本实验有助于了解切割机的结构、用途和正确使用。 芯片划片机是一种非常精密的设备,其主轴转速约为30,000至60,000转/分。由于晶粒之间的距离很小,晶粒相当脆弱,精度要求相当高,必须使用
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    LED芯片在精密切割机划切实验 通过LED芯片划切验证划切深度均匀性和划切位置的精度。划切工艺参数为主轴转速30000rpm,进给速度为100mm/s,选择2英寸电镀软刀,通过超景深观察LED芯片划切后的效果。 LED划切工艺参数 划切深度均匀性验证 为了验证划切深度的均匀性,采用相同工艺参数,对 LED芯片进行划切(尺寸为100x100mm)。在同一切割道均匀的选取5个点进行测量,测量结果如图显示。测量结果显示划切深度都在0.295~0.301mm之间,与设定的划切深度
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    硅片刃口材料是指切割机的刃口材料为硅片,主要用于切割太阳能硅片和半导体硅片。它是目前硅片线切割的三大耗材之一。在线切割过程中,将混有切削液(通常为聚乙二醇)和边缘材料的沙子喷涂在由细钢丝组成的钢丝网上。通过细钢丝的高速运动,磨制砂浆中的边缘材料,使硅棒或硅锭的表面高速紧靠在钢丝网上。因为切削刃处的材料颗粒有非常锋利的棱角,硬度比硅棒或硅锭高得多,硅棒或硅锭与钢丝之间的接触区域在切割边缘逐渐被材料颗
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    蓝宝石基片在精密划片机中划切实验 1、 蓝宝石材料特性 蓝宝石(Al2O3)因其独特的晶格结构(电绝缘和透明)、优异的力学性能(硬度高)、良*的热学性能(易导热)被广泛用于半导体发光二极管、微电子电路、大规模集成电路等光电元器件的制造中。同时,蓝宝石熔点高、强度高、光透性高以及化学稳定性强等特性被广泛应用于智能设备、航空航天等领域。 GaN(氮化镓)基LED芯片主要以蓝宝石基板作为衬底材料,而其结构组成中,GaN的厚度只有5
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    蓝宝石基片在精密划片机中划切实验 1、 蓝宝石材料特性 蓝宝石(Al2O3)因其独特的晶格结构(电绝缘和透明)、优异的力学性能(硬度高)、良*的热学性能(易导热)被广泛用于半导体发光二极管、微电子电路、大规模集成电路等光电元器件的制造中。同时,蓝宝石熔点高、强度高、光透性高以及化学稳定性强等特性被广泛应用于智能设备、航空航天等领域。 GaN(氮化镓)基LED芯片主要以蓝宝石基板作为衬底材料,而其结构组成中,GaN的厚度只有5
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    单次切割,即一次完全切割硅片,切割深度到UV膜厚度1/2的位置,如下图所示。该方法工艺过程简单,适合超薄材料切割,但切割过程刀具磨损严重,切割道边缘易产生崩边和毛刺,工件因受磨削力的影响,材料表面及亚表面易产生裂纹等缺陷。 针对硬脆材料划切工艺缺陷,本文提出一种分层划切工艺方法,如下图所示。根据切割材料的厚度,在划切深度方向采用分层(阶梯式)进给的方式进行划切,首先进行开槽划切,采用比较小的进给深度,以
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    全自动晶圆划片机工作原理 全自动晶圆划片机是精密切割专用设备,切割前通常为外径为6到12英寸的薄圆形片,根据用户的不同需求切割成不同尺寸的晶粒。砂轮切割工艺又称划片或划切,是以强力磨削为手段,通过空气静压支撑的电主轴带动超薄金刚石刀片以高速旋转,用刀片上的微细磨粒与被加工物进行接触,使划切处的材料产生碎裂,同时,承载着工件的工作台以一定的速度沿着刀片与工件接触方向进行直线运动,然后在刀具自身转动下以及
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    晶圆切割工艺 一、晶圆切割是太阳能电池和半导体芯片生产的基本环节。目前,晶体硅片的切割方法是线切割。线切割技术始于21世纪初。在线切割过程中,将混合有切削液(通常为聚乙二醇)和切削刃材料的砂浆喷涂在由细钢丝组成的钢丝网上。通过细钢丝的高速运动,磨碎砂浆中的刃口材料,使硅棒或硅锭表面高速紧靠在钢丝网上。由于切削刃材料颗粒具有非常锋利的棱角,且硬度远高于硅棒或硅锭,因此,硅棒或硅锭与钢丝之间的接触区域逐渐
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    在精密划片机切割过程中,总会遇到各种情况,而最常见的应该是工件的崩边问题,崩边包括:正崩,背崩,掉角及裂痕等。而有很多种不同因素都会导致崩边的产生,比如工件表面情况、粘膜情况、冷却水、刀片等。   划片机切割时工件表面有杂质或者本身材质不均匀,可能会导致刀片磨损不均匀而破损,从而导致崩边的产生。粘膜的种类、厚度以及切割深度的不合适也都会导致工件崩边。然而,冷却水也是至关重要的,如果冷却不够充分,会
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    精密划片机工艺的发展趋势及方向!   晶圆切割机主要用于半导体晶圆、集成电路、QFN、发光二极管、LED芯片、太阳能电池、电子基片等的划切,适用于包括硅、石英、 氧化铝、氧化铁、砷化镓、铌酸锂、蓝宝石和玻璃等材料。其工作原理是通过空气静压主轴带动金刚石砂轮划切刀具高速旋转,将晶圆或器件沿切割道方向进行切割或开槽。 2. 领域发展趋势及方向   随着减薄工艺技术的发展以及叠层封装技术的成熟,芯片厚度越来越薄。同时晶
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    精密划片机工艺的发展趋势及方向!   晶圆切割机主要用于半导体晶圆、集成电路、QFN、发光二极管、LED芯片、太阳能电池、电子基片等的划切,适用于包括硅、石英、 氧化铝、氧化铁、砷化镓、铌酸锂、蓝宝石和玻璃等材料。其工作原理是通过空气静压主轴带动金刚石砂轮划切刀具高速旋转,将晶圆或器件沿切割道方向进行切割或开槽。 2. 领域发展趋势及方向   随着减薄工艺技术的发展以及叠层封装技术的成熟,芯片厚度越来越薄。同时晶
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    划片机工艺简介   晶圆切割机主要用于半导体晶圆、集成电路、QFN、发光二极管、LED芯片、太阳能电池、电子基片等的划切,适用于包括硅、石英、 氧化铝、氧化铁、砷化镓、铌酸锂、蓝宝石和玻璃等材料。其工作原理是通过空气静压主轴带动金刚石砂轮划切刀具高速旋转,将晶圆或器件沿切割道方向进行切割或开槽。 2. 领域发展趋势及方向   随着减薄工艺技术的发展以及叠层封装技术的成熟,芯片厚度越来越薄。同时晶圆直径逐渐变大,单
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