型号：SUD40N06-25L-VB 品牌：VBsemi 参数：N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V)；TO252 封装：TO252 详细参数说明： - 型号：SUD40N06-25L-VB - 丝印：VBE1638 - 品牌：VBsemi - 沟道类型：N沟道 - 最大耐压：60V - 最大电流：45A - 静态导通电阻：24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V - 门源极电压：20Vgs (±V) - 阈值电压：1.8V 应用简介： SUD40N06-25L-VB是一款N沟道MOSFET，适用于各种电子模块和应用，特别是在需要高电流开关和低导通电阻的情况下。 应用领域： 这种产品通常用在

型号: CEA6426-VB 品牌: VBsemi **详细参数说明：** - 通道类型: N沟道 - 额定电压: 60V - 最大持续电流: 5A - 导通电阻 (RDS(ON)): 76mΩ @ 10V, 88mΩ @ 4.5V, 20Vgs - 阈值电压 (Vth): 1V 至 3V - 封装类型: SOT89-3 **应用简介：** CEA6426-VB是一款N沟道MOSFET晶体管，具有较高的额定电压和适度的导通电阻，适用于多种应用领域。以下是该产品在不同领域模块上的应用： 1. **电源管理模块**： CEA6426-VB的较高额定电压和能够承受适度电流的特性使其成为电源管理模块的良好选择。它可用

型号：AOD405-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 额定电压：-30V - 最大漏电流：-26A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：33mΩ @ 10V, 46mΩ @ 4.5V, 20Vgs - 阈值电压（Vth）：-1.3V - 封装：TO252 应用简介： AOD405-VB是一种P沟道场效应晶体管，适用于多种电子应用，具有高电流承受能力和低导通电阻，特别适合用于功率开关和电路控制。以下是一些可能的应用领域和模块： 1. **电源开关**：这种P沟道MOSFET适用于电源开关模块，如电源开关电路、稳压器和电源适配器。它能够

型号：IRFU120NPBF-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：100V - 额定电流：10A - 开通电阻（RDS(ON)）：220mΩ @ 10V, 264mΩ @ 4.5V - 门极-源极阈值电压范围（Vth）：2V - 门极驱动电压范围：±20V - 封装类型：TO251 应用简介： IRFU120NPBF-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种高电压和高电流电子应用。以下是一些可能的应用领域和模块，其中这种MOSFET可能被广泛使用： 1. **电源模块**：这款MOSFET可用于高电压电源模块，如开关电源、电源逆变器和稳压器。它能

型号: NDS9945-NL-VB 品牌: VBsemi 参数: - 2个N沟道 - 额定电压：60V - 最大电流：6A - 开通电阻：27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压：1.5V (Vth) - 封装：SOP8 应用简介: NDS9945-NL-VB是一款双N沟道MOSFET器件，适用于多种电子应用，它的主要应用领域包括但不限于以下模块： 1. 电源开关模块: 由于具有双N沟道设计，适用于电源开关、开关稳压器、DC-DC变换器等，以提供高效的电源管理。 2. 电机控制模块: 在电机驱动应用中，可用于电机控制和驱动，如电动汽车电

型号：2SK3385-Z-E1-AZ-VB **品牌：** VBsemi **参数：** - 类型：N沟道 - 额定电压（Vds）：60V - 最大电流（Id）：45A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.8V - 封装：TO252 **产品简介：** 2SK3385-Z-E1-AZ-VB是VBsemi生产的N沟道场效应晶体管，适用于多种高功率和高电流应用。它具有低静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）和高额定电流，使其非常适合需要高性能开关的电路。 **主要特点：** - 低导通电阻：具有低的静态漏极-源极电阻

型号: CES2321-VB 品牌: VBsemi **详细参数说明：** - 通道类型: P沟道 - 额定电压: -20V - 最大持续电流: -4A - 导通电阻 (RDS(ON)): 57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs - 阈值电压 (Vth): -0.81V - 封装类型: SOT23 **应用简介：** CES2321-VB是一款P沟道MOSFET晶体管，具有负电压承受能力，适用于多种应用领域。以下是该产品在不同领域模块上的应用： 1. **电源管理模块**： CES2321-VB的负电压承受能力和低导通电阻使其成为电源管理模块的理想选择，特别适用于负电压开关和反向电源保

型号：2SJ562-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 额定电压：-30V - 最大漏电流：-5.8A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：50mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs - 阈值电压（Vth）范围：-0.6V 至 -2V - 封装：SOT89-3 应用简介： 2SJ562-VB是一种P沟道场效应晶体管，主要用于电路中的功率控制和开关应用。以下是一些可能的应用领域和模块： 1. **电源模块**：这种P沟道MOSFET适用于电源模块，可以用于稳定和控制电流。它可以在不同的电源设计中用于电池管理、DC-DC转换器和逆变器等。

型号：FDS9936A-NL-VB 品牌：VBsemi 参数： - 2个N沟道 - 最大耐压：30V - 最大漏电流：6.8A / 6.0A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：22mΩ @ 10V, 26mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.73V - 封装：SOP8 应用简介： FDS9936A-NL-VB包含2个N沟道场效应晶体管，适用于中功率电子应用，特别是需要控制两个N沟道的应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性，适合用于多种电子系统。 领域模块应用： 1. DC-DC转换器模块：FDS9936A-NL-VB可用于DC-DC电源转换器，以提供有效的电能转换。 2.

根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 AO6402A-VB 的详细参数和应用简介： **型号：** AO6402A-VB **品牌：** VBsemi **参数：** - 沟道类型：N沟道 - 额定电压：30V - 最大电流：6A - 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V - 门源电压阈值 (Vth)：1.2V - 标准门源电压 (±V)：20V - 封装：SOT23-6 **产品应用简介：** AO6402A-VB 是一款 N 沟道 MOSFET，适用于低至中功率的电子设备和模块的功率开关和放大器应用。这款 MOSFET 具有适度的额定电压承受能力和低的漏

型号：FDY3000NZ-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - **双N沟道：** 该器件包含两个N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，适用于不同类型的应用，如电源开关等。 - **工作电压（VDS）：** 20V，表示MOSFET的耐压上限，适用于中低电压电路。 - **持续电流（ID）：** 0.2A，表示MOSFET可以承受的最大电流。 - **导通电阻（RDS(ON))：** 300mΩ @ 4.5V，350mΩ @ 2.5V，20Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。 - **阈值电压（Vth)：** 0.3V，表示MOSFET进入导

型号：AP9579GM-HF-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - P沟道 - 额定电压：-60V - 最大电流：-9A - RDS(ON)：24mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V - 门源电压（Vgs）范围：±20V - 阈值电压（Vth）：-1.92V - 封装：SOP8 应用简介： AP9579GM-HF-VB是一款P沟道MOSFET，适用于负向电压应用。它具有低通态电阻和适中的电流承受能力，适合多种负向电压电子设备。 应用领域： 1. **电源逆变器**：AP9579GM-HF-VB可用于电源逆变器模块，将负向电压转换为正向电压，适用于太阳能逆变器和电力系统。 2. **电源

型号：APM4953KC-TRL-VB 品牌：VBsemi 参数： - 2个P沟道 - 最大耐压：-30V - 最大电流：-7A - 开通态电阻：35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压：-1.5V 封装：SOP8 该型号的APM4953KC-TRL-VB是一种具有两个P沟道MOSFET的集成器件，适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介： **详细参数说明：** - 最大耐压：-30V，表示它可以承受不超过30伏的电压。 - 最大电流：-7A，该MOSFET可以承受最高7安培的电流。 - 开通态电阻：在不同电压下，其导通状态的

型号：STN4NF03L-VB 品牌：VBsemi 参数： - N沟道 - 最大耐压：30V - 最大漏电流：7A - 静态导通电阻（RDS(ON)）：25mΩ @ 10V, 38mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压（Vth）：1.5V - 封装：SOT223 应用简介： STN4NF03L-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于中功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性，适合用于中功率电子系统。 领域模块应用： 1. DC-DC转换器模块：STN4NF03L-VB可用于DC-DC电源转换器，以提供有效的电能转换。 2. 电机控制模块：在中功率电机控制和驱动电路

根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 AP4565GM-VB 的详细参数和应用简介： **型号：** AP4565GM-VB **品牌：** VBsemi **参数：** - 沟道类型：N+P沟道 - 额定电压：±30V - 最大电流：9A (正向电流) / -6A (反向电流) - 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：15mΩ @ 10V (正向电流), 42mΩ @ 10V (反向电流), 19mΩ @ 4.5V (正向电流), 50mΩ @ 4.5V (反向电流) - 门源电压阈值 (Vth)：±1.65V - 标准门源电压 (±V)：20V - 封装：SOP8 **产品应用简介：** AP4565GM-VB 是一款同时具有 N 和 P 沟道的 MOSFET

型号：SI2314DS-T1-E3-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - **N沟道：** 该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。 - **工作电压（VDS）：** 20V，表示MOSFET的耐压上限，适用于中低电压电路。 - **持续电流（ID）：** 6A，表示MOSFET可以承受的最大电流。 - **导通电阻（RDS(ON))：** 24mΩ @ 4.5V，33mΩ @ 2.5V，8Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。 - **阈值电压（Vth)：** 0.45~1V，表示MOSFET进入导

型号：IRLMS2002TRPBF-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - N沟道 - 额定电压：30V - 最大电流：6A - RDS(ON)：30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V - 门源电压（Vgs）范围：±20V - 阈值电压（Vth）：1.2V - 封装：SOT23-6 应用简介： IRLMS2002TRPBF-VB是一款N沟道MOSFET，特别适用于低电压、低功耗应用。它具有低通态电阻、适中的电压额定值和电流承受能力，适合多种应用。 应用领域： 1. **电源管理模块**：IRLMS2002TRPBF-VB可用于电源管理模块，以实现电源开关和电池保护。 2. **移动设备**：在便携

型号：NTMS4177PR2G-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 最大耐压：-30V - 最大电流：-11A - 开通态电阻：10mΩ @ 10V, 13mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) - 阈值电压：-1.42V 封装：SOP8 该型号的NTMS4177PR2G-VB是一种P沟道MOSFET晶体管，适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介： **详细参数说明：** - 最大耐压：-30V，这表示它可以承受不超过30伏的电压。 - 最大电流：-11A，该MOSFET可以承受最高11安培的电流。 - 开通态电阻：在不同电压下，其导通状态的电阻分别为10

型号：IRLR3103TRPBF-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - MOSFET类型：N沟道 - 额定电压：30V - 最大电流：60A - 导通电阻（RDS(ON)）：10mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs - 阈值电压（Vth）：1.6V - 封装：TO252 应用简介： IRLR3103TRPBF-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种电子设备和电路中，特别适用于需要高电流、低导通电阻的功率开关和电源管理应用。 **应用领域和模块说明：** 1. **功率开关模块**： - 由于其N沟道MOSFET的高电流承受能力和低导通电阻，IRLR3103TRPBF-VB适用于功率开关模块

型号：ME2323D-VB 品牌：VBsemi 参数： - P沟道 - 额定电压：-20V - 最大电流：-4A - 开态电阻 (RDS(ON))：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs (±V) - 阈值电压 (Vth)：-0.81V - 封装：SOT23 应用简介： ME2323D-VB是一款P沟道MOSFET，适用于需要低开态电阻和低电压的应用。这款MOSFET可用于电源开关、电池保护、信号放大和其他需要P沟道MOSFET的电路。 主要特点和应用领域： 1. **电源开关**：ME2323D-VB可用于电源开关应用，尤其适用于低电压电源，如电池供电设备。 2. **电池保护**：在

型号：NCE55P04S-VB 品牌：VBsemi 参数： - 沟道类型：2个P沟道 - 额定电压：-60V - 最大连续电流：-5.3A - 静态开启电阻（RDS(ON)）：58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V - 门源极电压（Vgs）：20V（±V） - 阈值电压（Vth）：-1V 至 -3V - 封装类型：SOP8 应用简介： NCE55P04S-VB 是一款具有2个P沟道的MOSFET，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块： 1. **电源开关模块**：该MOSFET可用于电源开关模块，以实现高效电源的开关和调节。它适用于便携设备、电

型号: AP2310N-VB 品牌: VBsemi 参数: - 沟道类型: N沟道 - 额定电压: 60V - 最大电流: 4A - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 85mΩ @ 10V - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 96mΩ @ 4.5V - 门源电压 (Vgs): ±20V - 阈值电压 (Vth): 1V 至 3V - 封装: SOT23 应用简介: AP2310N-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用： 1. **电源开关：** AP2310N-VB可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。其高额定电压和适中电流容忍能力使其适用于各种电源开关电路。 2. **

型号：DMG2301U-7-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - 极性：P沟道 - 额定电压：-20V - 最大连续漏极电流：-4A - 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ @ 4.5V，83mΩ @ 2.5V - 门极-源极电压（Vgs）：12V（±V） - 開啟電壓（门极阈值电压）：-0.81V - 封装：SOT23 应用简介： DMG2301U-7-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有适中电流承受能力和低漏极-源极电阻，适用于多种电子应用领域。 应用领域： 1. **电源模块**：DMG2301U-7-VB适用于开关电源、电源管理模块和电池保护

型号：IRLML9303TRPBF-VB 品牌：VBsemi 参数说明： - MOSFET类型：P沟道 - 额定电压：-30V - 最大电流：-5.6A - 导通电阻（RDS(ON)）：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs - 阈值电压（Vth）：-1V - 封装：SOT23 应用简介： IRLML9303TRPBF-VB是一款P沟道MOSFET，适用于多种电子设备和电路中，特别适用于需要功率开关、负载开关和电源管理的应用。 **应用领域和模块说明：** 1. **电源开关模块**： - 由于其P沟道MOSFET的特性，IRLML9303TRPBF-VB适用于电源开关模块，可用于功率开关和电源管理